26.01.2012 транзисторы 650V CoolMOS™ CFD2 (C6/E6) производства фирмы Infineon
Фирма Infineon производит линейку мощных высоковольтных полевых транзисторов типа CoolMOS. Транзисторы имеют сверхнизкое сопротивлением в открытом состоянии (Rds(on)), что в 5-10 раз превосходит параметры стандартных МОП-транзисторов.
Основные характеристики и преимущества:
• резкое уменьшение потерь мощности в проводящем состоянии силового ключа;
сопротивление во включенном состоянии R DS(on) полевого транзистора CoolMOS при Uds=600 В в 5 раз,
а при Uds=1000 В - в 10 раз меньше, чем у стандартного SIPMOS-транзистора
• уменьшение активной площади кристалла в 3 раза, при этом потери мощности в проводящем состоянии
снижены на 20%, а плотность энергии на единицу площади кристалла достигает 2,5 Вт/мм 2 ;
• компактность корпусов – замена силовых модулей на транзисторы в корпусах ТО 220 и ТО 247;
• значительное снижение заряда затвора и потерь при переключении (до 50%);
• заметное улучшение частотных свойств -номинальная рабочая частота до 200 кГц и выше;
• высокая способность по перегрузке -пиковая мощность рассеивания до 40 кВт при токе КЗ в 114 А
• увеличение помехозащищенности -пороговое напряжение включения: 3,5 - 5,5 В.
Мы предлагаем поставку:
1) 650VCoolMOS™ CFD2 - второго поколения лидирующего на рынке семействаMOSFETтранзисторовCoolMOS™ со встроенным обратным диодом. Новые транзисторыCFD2 обладают улучшенной энергоэффективностью по сравнению с предыдущей сериейCFD. За счет более мягкого переключение транзисторы этого семейства создают меньше электромагнитных помех, что также выделяет их среди конкурентов
2) 650 V COOLMOS™ C6/E6-сочетание опыта производства MOSFET на основе суперперехода с лучшим для современного рынка соотношением цена/эффективность.
В настоящее время появилась возможность заказа образцов семейства 650
